半导体公司经营范围电子元器件、集成电路、光电产品、半导体、太阳能产品、仪表配件、数字电视播放产品及通讯产品的技术开发及销售；干燥机、工业除湿机、净化设备、机电机械、制冷设备的技术开发和销售；智能交通产品的研发、道路交通设施的上门安装、研发与销售；会议公共广播设备、航空电子设备、测试设备的技术开发及销售。电子元器件、集成电路、光电产品、半导体、太阳能产品、仪表配件、数字电视播放产品及通讯产品的生产。；

半导体公司经营范围半导体技术软件、传感器、集成电路、新型电子元器件及产品的销售；半导体系统集成及辅助设备的设计；调试及相关产品的销售；自营或代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定或禁止的除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）

半导体公司经营范围半导体分立器件制造；集成电路设计；数据处理和存储服务；信息技术咨询服务；信息系统集成服务；软件开发；其他未列明信息技术服务业（不含需经许可审批的项目）；其他未列明科技推广和应用服务业；其他技术推广服务；计算机、软件及辅助设备批发；计算机、软件及辅助设备零售；通信设备零售；其他电子产品零售；其他机械设备及电子产品批发；电子元件及组件制造；计算机外围设备制造。

半导体公司经营范围半导体三极管的销售；经营进出口业务。半导体三极管的生产。；

半导体公司经营范围研发、销售：半导体设备、微纳传感器件、微纳光学器件；微纳器件系统集成；微纳机电领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让；仪器仪表、半导体材料、电子产品、微纳器件芯片、光学元器件及设备的研发、设计、销售及相关售后服务；从事上述商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）

半导体公司经营范围半导体生产加工，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】

范本1

半导体公司经营范围：开展电子信息领域、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究及产品试制中试等应用技术开发，承担建设半导体领域科技创新平台和国家宽禁带半导体专业委员会的工作，提供电子信息及半导体相关材料、器件及装备研究开发、技术咨询推广、分析测试、学术交流和科学传播等服务。

范本2

半导体公司经营范围：半导体元器件、电子产品、机电设备的制造、加工、销售；货物及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）

范本3

半导体公司经营范围：一般经营项目是：兴办实业（具体项目另行申报）；led、发光二极管、数码管产品、smd产品、太阳能光源、半导体、室内外照明产品、离网照明产品、智能照明产品、特种照明产品、led照明光源smd支架的销售；照明节能技术开发；市政工程、机电安装工程的承包与施工；物业管理、自有物业租赁及国内贸易（不含专营、专控、专卖商品）；经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；五金、塑胶制品、新能源、新材料、电器、电子产品、照明产品、智能储电产品的研发、设计及销售。许可经营项目是：led、发光二极管、数码管产品、smd产品、太阳能光源、半导体、室内外照明产品、离网照明产品、智能照明产品、特种照明产品、led照明光源smd支架的生产；五金、塑胶制品、新能源、新材料、电器、电子产品、照明产品、智能储电产品的生产。

范本4

半导体公司经营范围：半导体应用材料、机电设备生产、加工、销售；橡塑制品加工、销售；纯水系统工程安装；电子科技领域内的技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让；电子材料、金属材料、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用爆炸物品、易制毒化学品）批发零售；从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】

范本5

半导体公司经营范围：加工、销售：半导体、灯用电器附件及其它照明器具。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓

范本6

半导体公司经营范围：交直流风扇的研发、设计与销售；电子元器件、电脑周边产品的购销；国内贸易、货物及技术进出口。

范本7

半导体公司经营范围：半导体元器件、电子产品及其软件的技术开发与销售；国内贸易；货物及技术进出口。（法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外）

范本8

半导体公司经营范围：半导体材料、电子产品、塑料制品、半导体设备、太阳能设备、清洗设备销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）

范本9

半导体公司经营范围：集成电路的设计及研发；芯片的设计、研发及销售；电子产品、电器的技术开发及销售；手机和电脑软件、硬件的技术开发及销售；电子产品、集成电路模块、电子设备、机器设备的批发；经营进出口业务。

范本10

半导体公司经营范围：半导体、集成电路、场效应管、电子元器件、电子产品的技术开发、销售；应用电路方案设计；货物及技术进出口（法律、行政法规规定禁止的项目除外；法律、行政法规规定限制的项目须取得许可证后方可经营）。

范本11

半导体公司经营范围：半导体材料、金属特种材料切削加工批发；半导体材料研发；光电晶体材料、半导体器件、光电器件、电子元器件研发、批发；机械设备及零部件、金属材料批发；半导体技术、光电技术、晶体技术、电子领域内的技术开发、技术服务；从事货物及技术的进出口业务（除国内分销）。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】

范本12

半导体公司经营范围：电子元器件批发;五金产品批发;通讯设备及配套设备批发;信息电子技术服务;(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓

范本13

半导体公司经营范围：电力模块、半导体器件制造、加工、销售；货物进出口、技术进出口。

范本14

半导体公司经营范围：许可经营项目：无 一般经营项目：集成电路开发；计算机软件及系统方案设计；芯片的测试、销售；技术服务、技术咨询。 **（上述经营范围涉及行政许可的，经许可后方可经营；涉及专项审批的，经批准后方可经营）**

范本15

半导体公司经营范围：半导体设备、精密仪器设备的安装，木制品加工（限分支机构经营），人工搬运服务，人工装卸服务，海上国际货物运输代理，公路国际货物运输代理，航空国际货物运输代理，从事货物进出口及技术进出口业务，包装材料的批发、零售，仓储服务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】

范本16

半导体公司经营范围：led照明产品、led装饰产品、五金塑胶配件、电子电器配套系列产品技术开发与销售；国内贸易；货物及技术进出口。led照明产品、led装饰产品、五金塑胶配件、电子电器配套系列产品生产。

范本17

半导体公司经营范围：一般经营项目是：led照明灯饰及配件、led太阳能灯饰、电子数码产品、智能家居电子产品的技术开发及销售，国内贸易；货物及技术进出口。（法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外），许可经营项目是：led照明灯饰及配件、led电源、led太阳能灯饰、电子数码产品、智能家居电子产品的生产。

范本18

半导体公司经营范围：半导体器件、电子元器件、集成电路、塑料制品、自动化设备及其零配件、电子产品材料、包装物消耗品、模具及其配件的批发、佣金代理及开发设计；电子技术咨询及服务；（如涉及配额、许可证管理的进出口商品，按国家有关规定办理手续）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。）

范本19

半导体公司经营范围：半导体器件制造、加工、销售。

范本20

半导体公司经营范围：许可项目：货物进出口；技术进出口（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；半导体器件专用设备制造；半导体分立器件制造；半导体器件专用设备销售；半导体分立器件销售；工业自动控制系统装置制造；工业自动控制系统装置销售；电子专用设备制造；电子专用设备销售；电子测量仪器销售；实验分析仪器销售；电子专用材料销售；标准化服务；工业机器人安装、维修；专用设备修理；普通机械设备安装服务（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）

一、或跃于渊：GaN将领跑第三代化合物半导体市场

什么是第三代化合物半导体

第三代半导体是指化合物半导体，包括SiC(碳化 硅)、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）、GaO（氧 化镓）、AlN（氮化铝），以及金刚石等宽禁带半 导体材料（导带与禁带间能隙差Eg>2.3eV）。第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电 子迁移率、高工作温度等优点。以SiC和GaN为代 表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的 频率特性。

主要氮化镓器件的参数对比

硅基和碳化硅基的器件将率 先商用：虽然基于GaN衬底的 GaN器件，在各个性能指标都 处于领先水平，但是衬底价格 过高。所以硅基和碳化硅基的 GaN器件将会率先商用。

氮化镓材料性能优异，应用市场广泛

氮化镓（GaN）可同时涵盖射频和功率领域，特别 是在高功率和高频率领域应用效果特别出色，与其 他化合物半导体材料相比，具有较高投资价值。以氮化镓为材料的功率半导体器件可广泛应用 于工业、通信、计算机、消费电子、汽车电子、 航空航天、国防军工等传统产业领域。

二、射频通信：5G通信驱动技术升级，GaN将逐步替代LDMOS

氮化镓将成为5G射频器件的主要材料

使用GaN制 作的功放产品的输出功率和效率都显著优于其他 材料（GaAs、LDMOS）制作的功放产品；频率响应 曲线的平坦持续范围最宽。正是由于GaN优秀的材料特质，毫米波、、波束合成以及载波聚合等5G移动通信中使用 到的核心基础技术最后都将使用GaN材料制作功率放 大器产品。

GaN材料在射频产品的渗透率将逐步提升

射频器件材料主要有三种：GaAs ，基于 Si 的 LDMOS以及GaN 。GaAs器件的缺点是器件功率较低，低于 50W；LDMOS 器件的缺点是工作频率存在极限，最高有效频率在3GHz以下；GaN弥补了GaAs和Si基LDMOS两种 老式技术之间的缺陷，在体现 GaAs 高频性能的同时，结合了Si基LDMOS的功率处理能力。随着GaN材料工艺的成熟和成本的下降，GaN在射频市场的渗透率将提升，预计到2025年将达到50%左右。

全球GaN射频器件市场将保持12%的增速，预计2025年达20亿美元

2019年-2025年，GaN射频器 件市场将保持12%的增速增长，预 计2025年达20亿美元。通信和军工是推动GaN射频器 件市场增长的主要驱动力， 2025 年通信市场规模占比 36.6%,军工占比55.5%。2025年，全球通信射频前端市 场规模将达36亿美元，其中功 放市场15亿美元，GaN在功放市 场的渗透率将超过50%。

三、功率器件：消费电子率先突破，中高压领域或后来居上

提高效率并实现小型化是GaN在功率器件领域的目标

GaN器件的转换效率高：由于导通电阻小，使用GaN器件 制作的功率器件转换效率将显著提升，显著降低电力损 耗情况，达到节能的效果。GaN器件的体积将显著降低：由于导通电阻小、可在高 温环境下共奏以及效应速度快，器件体积将显著降低。

GaN功率器件有望在低压领域代替硅基功率器件

GaN功率器件在中低压领域优势较为明显：由于SiC衬 底价格比较昂贵，目前大多数GaN功率器件均采用Si衬 底；采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下， 成本在1美金左右。因此，GaN功率器件在低压领域 （0-900V）首先商用，替代传统的硅基功率器件。潜在市场规模约300亿美元：按照工作电压 来分类，全球功率器件的68%左右应用在0- 900V的低压领域；以2021年442亿美元的功率 器件市场来看，GaN功率器件的潜在市场规模 约300亿美元。

GaN功率器件在充电器产品的潜在市场规模约80亿美金

GaN器件制作的充电器体积小、重 量轻，在发热量、转换效率上比硅 基器件制作的充电器有显著的优势， 大大改善了用户的使用体验。GaN功率器件的应用目标主 要为笔记本电脑、手机、平 板等电源；目前来看，基于 GaN的充电器将成为首选。全球每年充电器销售量大约为40 亿只，按照每个充电器使用2个芯 片，每芯片1美金估算，GaN在快 充市场潜在规模大约为80亿美金。

GaN功率器件在数据中心行业具有可观的降本增效空间

提升效率：GaN器件制作的服 务器电源，相比于硅基产品， 功率密度可以提升2.8倍，转换 效率可以提升7个百分点。

降低成本：服务器用电是数据 中心最主要的成本，占比约50% 左右，使用GaN电源后，单机柜 年度电费可降低2400元。

提高收入：使用GaN电源后，单 机柜可装服务器数量由30个提升 到34个，对于IDC服务商来说， 单机柜租金增长空间约13%。

GaN功率器件在新能源车领域的应用可能提前

由于硅基GaN功率器件的工作电压较低，而耐 高压的SiC基GaN功率器件又比较贵，因此法国 Yole公司预估，GaN功率器件要到2025年后，才 有可能在电动车上部署。

GaN功率器件在新能源车上的应用将提前： IMEC实验室在4月29日宣布了工作电压可达 1200V的硅基GaN外延片；若是商业化顺利，硅 基GaN功率器件在新能源车上的应用将提前。

全球GaN功率器件市场将保持70%的增速，预计2025年达11亿美元

2020年-2026年，GaN功率器 件市场将保持70%的增速增长，预 计2026年达11亿美元。通信和消费电子是推动GaN功 率器件市场增长的主要驱动力， 2026 年通信市场规模占比 20.3%,消费电子占比61.1%。传统车和新能源车会是GaN功 率器件应用的一个全新场景， 2026年，市场规模会从2020年 的30万美元增加到1.6亿美元。

硅基氮化镓外延技术壁垒高，难以在短期掌握

硅基氮化镓外延片技术壁垒高：生产是系统性工 程，原材料配方设计、制造工艺技术、配套设备工 艺设计、自主研发能力、资本实力、产业链资源等 各方面的能力储备缺一不可。

行星式反应炉的控制难以在短期内掌握：生 产过程当中，需要：使晶圆片受热均匀、控 制好掺杂浓度要控制好、控制晶圆上下面的 温差、控制衬底边缘的晶圆翘曲度。

四、风险提示

1、国内运营商资运营商5G建设再放缓的风险

运营商5G建设若再放缓，将使基站出货量不及预 期，从而将使得SiC基GaN射频器件需求不及预期。

2、中美贸易摩擦的风险

国内射频器件厂商的SiC衬底主要来自美国公司，若 是出现断供的情况，将使得产品出货量不及预期。

3、消费电子产品出货量不及预期的风险

Si基GaN产品目前主要用于消费电子产品的充电器，若是全球疫情再次出现反弹，将使得消费电子产品出货量 再次下调， Si基GaN产品需求将不及预期。

报告节选：

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

2022年全球及中国半导体设备行业产业链投资价值分析及市场规模增长率研究预测

（1）半导体行业概览：

①半导体产业链情况：半导体行业是电子信息产业的基础支撑，主要分为集成电路、分立器件、传感器和光电子器件等四大类，广泛应用于5G通信、计算机、云计算、大数据、物联网等下游终端应用市场，是现代经济社会中的战略性、基础性和先导性产业。

半导体产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及半导体设计、制造、封测环节，具体情况如下图所示：

②半导体行业发展概况：

A、全球半导体行业市场规模巨大：自半导体核心元器件晶体管诞生以来，半导体行业遵循着摩尔定律快速发展。2013年到2018年，全球半导体市场规模从3,056亿美元迅速提升至4,688亿美元，年均复合增长率达到8.93%。2019年，受国际贸易环境恶化导致市场信心不足等因素影响，全球半导体市场出现下跌。2020年，受益于疫情催生远程办公设备销量提振以及全球汽车产业复苏所推动的需求强劲反弹，全球半导体行业克服新冠疫情影响，发展态势良好。

B、全球半导体制造产能逐步向中国大陆转移：全球半导体产业的发展经历了由美国向日本、韩国和中国台湾地区以及中国大陆的几轮产业转移。

中金企信国际咨询公布的《2022-2028年中国半导体设备行业市场调查及投资战略预测报告》

全球半导体产业区域转移发展历程

凭借着巨大的市场容量和消费群体，在半导体制造方面，中国大陆近年来已超过美国、欧洲、日本，成为全球最大的半导体销售国。中国大陆半导体市场发展势头良好，吸引了台积电、三星、英特尔、SK海力士等在中国大陆建厂。

根据中金企信统计数据，2017-2020年间全球投产的半导体晶圆厂为62座，其中有26座设于中国大陆，占全球总数的42%。

C、中国半导体行业稳步发展：中国大陆正处于新一代智能手机、物联网、人工智能、5G通信等行业快速崛起的进程中，已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。集成电路为半导体工业的核心，经过多年的改革开放，中国集成电路市场获得了长足的发展，我国对集成电路的需求也在不断提升。据中国半导体行业协会统计，2020年中国集成电路产业销售额为8,848亿元人民币，较2019年增长17%，在2020年受疫情影响的情况下，中国集成电路产业销售额仍稳步提升。

中金企信国际咨询专业编制《半导体设备项目商业计划书》为企业投融资、项目立项、银行贷款申请、批地申请等提供专业化优质服务。

（2）半导体设备行业：

①半导体设备发展基本情况及特点：半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。

前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行“加减法”。

薄膜沉积作为“加法工艺”，与光刻和“减法工艺”刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。

中金企信国际咨询专业编制《半导体设备项目可行性研究报告》为企业投融资、项目立项、银行贷款申请、批地申请等提供专业化优质服务。

半导体前道工艺及相关设备分析

从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。

晶圆厂投资构成分析

数据统计：中金企信国际咨询

②全球半导体设备行业发展情况：2013年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据中金企信统计数据，全球半导体设备销售额从2013年的约318亿美元增长至2020年的712亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据中金企信统计数据，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。全球半导体设备龙头厂商情况如下：

数据统计：中金企信国际咨询

③中国半导体设备行业发展概况：

A、中国大陆成为全球第一大半导体设备需求市场：从需求端分析，根据中金企信统计数据，2013-2020年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到27.59%，2020年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到187.2亿美元，发展势头良好。根据中金企信统计数：我国投产、在建和规划的38条八英寸晶圆制造线中，已经量产的有19条，宣布投产的有5条，在建项目有10条，规划中的项目有4条。其中宣布投产的月产能总计22.5万片，在建项目规划月产能总计37.2万片。受益于中国大陆地区晶圆厂建设加速推进，中国大陆半导体设备市场需求快速增长。

中金企信国际咨询公布的《2022-2028年中国半导体薄膜沉积设备市场发展战略及投资前景预测咨询报告》

2019年、2020年，中国大陆市场约占全球半导体设备市场比例分别为22.51%、26.30%。中国大陆已成为全球第一大半导体设备需求市场，具体情况如下：

数据统计：中金企信国际咨询

B、顶尖设备仍依赖进口：2020年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%，其中集成电路设备自给率仅有5%左右，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。

C、半导体设备发展趋势向好：集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。

除此之外，功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将持续保持增长势头，市场前景良好。预测原始设备制造商全球半导体制造设备销售额相比2020年的711亿美元，2021年增长34%至953亿美元，2022年将创下超过1,000亿美元的新高。

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（3）半导体薄膜沉积设备的发展情况：

①半导体薄膜沉积设备行业发展情况：

A、薄膜沉积设备市场规模持续增长：根据中金企信统计数据，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。

2017-2025年全球半导体薄膜沉积设备市场规模分析

数据统计：中金企信国际咨询

B、薄膜沉积设备国产化率低：我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，具体如下：

半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。

C、各类薄膜沉积设备发展态势：从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。

半导体薄膜沉积设备分析

数据统计：中金企信国际咨询

在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。

②ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况：ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。

A、ALD典型应用——高介电常数金属栅极（HKMG）工艺：晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程28nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。

通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。

传统多晶硅栅极/SiO2介质层与HKMG结构对比分析

ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。

B、ALD典型应用——电容和电极材料：集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。

存储芯片结构演变（以NAND为例）分析

ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着和DRAM相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，和DRAM电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。

C、ALD典型应用——金属互联阻挡层：金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。

铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。

中金企信国际咨询专业编制《半导体薄膜沉积设备项目商业计划书》为企业投融资、项目立项、银行贷款申请、批地申请等提供专业化优质服务。

③半导体薄膜沉积设备发展趋势：

A、半导体行业景气度带动设备需求增长：随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。

B、进口替代空间巨大：近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。

伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。

C、薄膜要求提高衍生设备需求：在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。

D、先进制程增加导致设备市场攀升：随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。

目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。

半导体设备项目可行性研究报告

项目可行性报告

中金企信国际咨询公司拥有10余年项目可行性报告撰写经验，拥有一批高素质编写团队，卓立打造一流的可行性研究报告服务平台为各界提供专业可行的报告。

【报告说明】

可行性研究报告，简称可研，是在制订生产、基建、科研计划的前期，通过全面的调查研究，分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。

项目可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件，如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等，从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较，并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测，从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见，为项目决策提供依据的一种综合性的分析方法。

可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。可行性研究报告是确定建设项目前具有决定性意义的工作，是在投资决策之前，对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法，在投资管理中，可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。