1 数据基石—存储器

存储器（）是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质 不同，可以分为半导体存储、磁性存储和光学存储；其中，半导体存储器是以半导体电 路作为存储媒介、用于保存二进制数据的记忆设备，是市面上的主流存储器，具有体积 小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点；被广泛应用于各类电子产 品中（无特别标注，下文所提及的存储器均特指半导体存储器）。存储器按照电源在关断 后数据是否被保存可分为 RAM（随机存储器）、ROM（只读存储器）和新型 RAM（基 于新材料研制而成，尚未实现商业化）。

存储器是半导体的支柱产业、其庞大的市场体量能够较大程度上影响到半导体行业的景气波动（存储器的周期性波动高于半导体行业）；据 WSTS 统计数据显示，2020 年全球 存储器市场规模达 1174.82 亿美元，在半导体中的占比达 26.68%；同时，在服务器等 需求持续增长下，WSTS 预测存储芯片在半导体中的规模和占比将持续加大，2021 年 预计可达 1581.61 亿美元，占比 28.60%。

尽管存储器产品品类众多， 但从产品营收贡献的角度来看，DRAM 和 Flash（NAND、 NOR）的营收占比超 95%。因此，对存储器行业进行跟踪分析时，往往仅需对 DRAM 和 Flash 展开研究即可。系列报告在开篇将对存储行业的基本特征展开分析，后续将主 要围绕 DRAM 和 Flash 展开详细描述。

2 存储器是垄断、产品标准化、重资产、强周期的行业

存储器行业的特征可以概括为如下：1、行业高度垄断；2、产品标准化程度高、同类产 品可替代性强、用户粘性较低，技术进展趋缓；3、IDM 的生产模式，资本投入大，规 模效应显著；4、需求量大、强周期属性（产品价格、市场规模的周期性波动显著）。

行业高度垄断化

全球存储器行业呈现出寡头垄断的竞争格局。其中，DRAM 市场以三星、美光、海力士 三分天下，2020 年三大厂商占据了 94%的市场份额；NAND 市场的垄断力稍逊，以三 星、、西部数据、美光、海力士、Intel 六家公司垄断市场（其中 和西部数 据共用产线），2020 年六家公司共占据 99%的市场份额。

产品高度标准化、技术进展趋缓

存储器的生产是对基本工作单元的重复生产，因此，存储器有着产品标准化程度高、一 致性强、用户粘性弱、同类产品可替代性强的属性。尽管当前存储行业技术工艺依旧遵 循摩尔定律，但整体先进制程的进展是趋缓的。从存储器技术发展的路线图来看，NAND 完成了从 2D 产品向 3D 产品的转化，技术上不再追求制程的突破，更加侧重于叠层的 增加；DRAM 产品的制程进展也呈放缓之势，我们认为 10nm 级的制程工艺在未来很长 一段时间内将是 DRAM 的主流工艺水平。（报告来源：未来智库）

IDM 的生产模式，重资本投入

IDM 模式（ ，垂直整合制造）：覆盖产业链的设计、制造、 封装测试等所有环节，厂商拥有集成电路设计部门、晶圆厂、封装测试厂，可自行设计、 生产、封测芯片产品，拥有自有品牌。IDM 的生产模式的优点在于能够将研发和生产的 过程紧密结合在一起，大大缩短从设计到制造的时间。对存储龙头的生产模式进行分析， 可以发现龙头均采用 IDM 的模式。我们认为，存储器行业有着很强的技术和生产壁垒， 而产品高度标准化、同类产品可替代性强的特征需要厂商能够灵活调整产品结构、大规 模生产形成规模优势，这也是龙头选择 IDM 进行生产的核心所在。

对存储市场规模和龙头厂商的盈利能力进行分析可以发现，存储器行业具有很强的周期 性，龙头公司的盈利能力在不同年份下也有着较大的波动性。我们认为价格的“暴涨— 暴跌”变化是存储器行业强周期的关键所在，强周期性也致使企业盈利能力在不同年份 具有显著的差异性。

3 DRAM——市场规模最大的存储器

DRAM（动态随机存取存储器，主要特指 SDRAM）是存储器细分产品中的营收占比最 大的产品，据 IC 预测，2021 年 DRAM 在存储行业的营收占比将达 56%。DRAM 基本存储单元由一个晶体管和一个电容（1T1C）构成，由于存储单元较为简单，因此 DRAM 可以实现很高的存储密度和容量，被广泛应用在主机内存上。

正如我们前文所述的存储器行业特征，DRAM 行业是极具周期性。从市场规模来看，近 年来，DRAM 市场规模在波动中实现了持续成长；展望未来，我们认为随着 5G、云计 算、AIoT 的快速发展， DRAM 的需求量有望保持高速增长。从市场玩家的角度来看， 重资产投入的 IDM 生产模式叠加“暴涨-暴跌”周期性波动所带来景气下行期的巨幅亏 损促成行业玩家在持续缩减，当前 DRAM 行业以三星、海力士和美光瓜分天下。

4 DRAM 主要产品品类

DRAM 按照产品分类主要分为 DDR、LPDDR（低功耗）和 GDDR，其中 DDR 主要应 用于服务器和 PC 端、LPDDR 主要应用于手机端、GDDR 的主要应用领域为图像处理 领域。从市场的角度划分，可以将 DRAM 分为主流 DRAM 和利基型 DRAM，其中主流 DRAM 市场的玩家为三星、美光和海力士，国内 DRAM 大厂长鑫存储的定位也在主流 DRAM 市场；利基型 DRAM 市场的玩家相对更为分散，除了三星、美光、海力士之外 (逐渐退出该市场)，还包含南亚、华邦和兆易创新、北京君正等公司。

DDR SDRAM DDR 是使用最广、最为常见的 DRAM，其主要应用领域在于服务器和 PC 市场。DDR1- DDR5 是由固态技术协会制定的产品标准，从产品标准的更新时间来看，DDR 的产品 标准更新进程较慢，大约每 4~5 年才会更新一代；具体而言，从 DDR1 到 DDR5，DDR 的能耗越来越低，传输速度越来越快、存储容量也越来越大；从制程工艺的进展来看， DDR 在步入 20nm 以内的制程后，在制程上的突破进展呈现放缓趋势。目前，DDR 最 新的工艺制程是基于 EUV 的 10nm 级制程。

DDR5——最新 DDR SDRAM 标准

固态技术协会(JEDEC)于 2020 年 7 月发布其下一个主流存储器标准 DDR5 SDRAM 的 最终规范，这是计算机存储器开发进入新的重要里程碑。与 DDR4 相比，DDR5 再次扩 展了 DDR 内存的功能，使峰值内存速度提高了一倍，同时也大大增加了内存大小。2021 年，基于 DDR5 模组已在服务器、PC 等下游应用中投入使用。DDR5 的变化如下： 双通道架构提升内存访问效率。DDR4 DIMM 具有 72 位总线，由 64 个数据位加 8 个 ECC 位组成。DDR5 每个 DIMM 具有两个通道，每个通道均为 40 位宽：32个数据位和 8 个 ECC 位。虽然 DDR5 数据宽度相同（总共 64 位），但具有两个 较小的独立通道可提高内存访问效率。

更长的突发长度。 DDR4 的突发长度为 8，DDR5 的突发长度将扩展到 16，以增 加突发有效负载。突发长度十六（BL16）允许单个突发访问 64 字节的数据，显著 提高了并发性，并通过双通道提高内存效率。

On-die ECC（纠错码）。面对更高的容量和速度以及更小的工艺技术，DRAM 内 存阵列出现单位错误的可能性会增加。为进一步改善内存信道，DDR5 DRAM 配 备额外的存储器，只用于 ECC 存储（DDR5 DRAM 为每 128 位数据额外设置 8 位 的 ECC 存储空间）。

On-DIMM（模块）电源体系架构。对于 DDR5 DIMM，电源管理从主板移至各个 DIMM，DIMM 负责其自身的电压调节需求。通过对电源进行更好的 On-DIMM 控 制来帮助实现信号的完整性和降噪。

扩展至 6.4 Gbps 满足不断增长的速度需求。 DDR4 DIMM 的最高时钟频率为 3.2 Gbps，DDR5 内存最终将使 DDR4 DRAM 的数据速率翻一番，达到 6.4 Gbps。 DDR5 中集成了决策反馈均衡（DFE）等新功能，从而实现了更高的 IO 速度。

工作电压降低至 1.1V，转化为更低的功率。使用 DDR5 时，DRAM 和缓冲芯片注 册时钟驱动器（RCD）电压从 1.2 V 下降至 1.1V。

DDR5 支持更高容量。DDR4 在单芯片封装的最大容量为 16 Gb， DDR5 单个裸 片的存储密度可达 64 Gb。

英特尔、AMD 支持 DDR5 处理器的发布和加速使用，助力 DDR5 渗透率提升。PC 处 理器方面，英特尔支持 DDR5 的 Alder Lake 第 12 代 Core PC 处理器已量产出货，AMD 也即将发布支持 DDR5 内存的 处理器；服务器处理器方面，英特尔新一代 处理器和 AMD 使用 Zen4 架构 Genoa 及 处理器均支持DDR5 内存。我们认为，随着英特尔和 AMD 新款处理器的陆续推出，DDR5 的渗透率 将持续提升。

LPDDR & GDDR

LPDDR(低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器)是指拥有比同代 DDR 内存更低功耗 和更小体积的 DRAM，该类内存芯片广泛应用于移动式电子产品，又被称之为 mDDR。 我们认为，随着手机、平板电脑等移动市场的持续爆发增长，LPDDR 正不断更新迭代。 从 到 ，每一代的时钟速度都翻了一番，电源效率（每个带宽的功耗） 也得到了改善。与 DDR、GDDR 相比，LPDDR 的电压更低，功耗更小。

GPDDR( )：GPU 是专于并行处理数据的处理器。每个处理器核配置 一个存储芯片，创建能并行处理的通道。因此在多核架构的图像处理器，每个存储芯片 的带宽决定系统的性能。带宽越大，性能越好。为此，业界开发出能适用于并行操作应 用程序的图形双倍数据速率（GDDR）存储器。多年来，随着对更大带宽的需求不断上 升，GDDR 显存经历了 GDDR2、GDDR3、GDDR4、GDDR5 和 GDDR6 的演进过程。 与 DDR、LPDDR 相比，GDDR 的带宽更高。

5 DRAM 供需分析

DRAM 是一个产品高度标准化、价格波动性显著的行业，而价格的变化往往进一步带动 企业利润率的持续变化。因此，对于其供需变化和未来景气度及价格展望的研究预判是 对该行业进行投资的核心基础。下文将对 DRAM历史价格、主流DRAM 和利基型 DRAM 市场逐一展开研究。

6 历史价格呈现周期性波动

DRAM 的价格呈现周期性波动。每一次持续性长时间的价格下降，都会迎来新一轮价格 上升期。对 2008 年以来 DRAM 的几轮周期进行复盘总结如下：

每一轮价格的上涨基本为需求导向型（即：需求端的增长导致短期供不应求，产品 价格持续上扬）；每一轮的价格下跌基本为供给导向型（即：原厂扩产带来产品短 期供过于求，价格持续走跌）；

DRAM 每一轮涨跌周期基本在 3 年左右（1 年左右的上涨周期+2 年左右的下跌平 滑期），我们认为这也基本符合晶圆厂“投资建设——量产——产能爬坡”的时间 周期规律；

本轮 DRAM 周期中价格更为坚挺，主要原因为：随着 5G、人工智能、物联网等的 持续发展，全球数据量呈现出爆发式增长，存储需求强劲；叠加供给端 DRAM 行 业出清后仅剩三大主要玩家，行业产能的扩张更为合理（很难再次出现历史上的盲 目扩张行为），因此，价格相较以往更为坚挺。

7 供需分析乐观看待主流市场 DDR5 产品

主流 DRAM 产品是指当前市场上被广泛销售的 DDR4-5、-5、GDDR5-6 等产 品型号，该市场占据了 DRAM 行业绝大多的市场份额，行业主要玩家为三星、美光、海 力士；主流 DRAM 产品大规模应用在 PC、手机、服务器和 GPU 等领域；其行业景气 度受供给和需求两端的影响；此外，行业代际之间的演变如从 DDR4 向 DDR5 的渗透 也影响着细分产品的价格走向。因此，在研究该市场时，需要持续追踪行业供需变化和 产品代际演变的趋势。

供给端分析：

产能情况分析：21&22 年 DRAM 增量不大。具体产线及产能爬坡情况而言，2021 年 DRAM 产能有一定比例的提升（新设产线有海力士 1 条线和美光 2 条线、此外三星、长 鑫各有 1 条老产线有一定程度的产能增加），而 21 年 DRAM 产能的提升也是 DRAM 本 轮价格出现较大波动性的核心所在；22 年 DRAM 新增产线 1 条。

需求端分析：

我们认为需求的增长主要在于服务器高景气的持续及 DDR5 渗透率的提升、手机的景 气复苏：1、数据时代、云计算市场快速崛起；近年来，随着工作量的云上迁移和云本地 应用开发的加速，全球云服务器支出持续维持在超 30%的高速增长水平；而服务器市场 的加速崛起，带动存储需求量的逐年攀升；我们预期，服务器对内存容量和处理速度要 求的提升，使得大容量和高带宽的 DDR5 将于明年在服务器市场大批量应用。2、手机 单机内存需求量的快速增长。为满足高清视频、高清摄像以及软件升级等客观使用需求， 手机单机运行内存和内存含量正持续增长；而明年全球手机的正增长也加快了手机存储 市场的景气复苏。

总结分析：主流 DRAM 市场乐观看待 DDR5 的发展。如我们前文所述，英特尔、AMD 搭载 DDR 的 PC 和服务器用处理器的陆续发布，随着处理器龙头英特尔、AMD 的竞争 加剧，搭载 DDR5 处理器有望快速推向市场，从而带动 DDR5 渗透率在明后两年实现 快速增长，据 Yole 预测 2023 年底有望超 50%。供给端，采用 EUV 设备生产 DDR5 产 品将更为经济，受制于 EUV 设备的稀缺性，尽管三大厂在持续推进 DDR5 产品的生产， 但产能转换在短期内尚不能快速转变，因此，我们乐观看待 DDR5 产品市场。（报告来源：未来智库）

8 供需分析持续看好利基型 DRAM 的发展

利基型 DRAM 市场是一个小众（市占率不足一成）、动态的成熟产品市场，现有产品规 格主要包括 DDR1-DDR3 全系列内存容量产品以及逐渐转至利基市场的 DDR4-4Gb。 除了三大厂有较少一部分产品分布在利基型 DRAM 市场，该行业的主要玩家还包括中国台湾的南亚科技、华邦电子、代工厂力积电以及中国大陆的兆易创新和北京君正。

从需求端来看，利基型 DRAM 主要应用于 TV、安防以及消费类电子领域；现阶段由于 汽车的智能化程度尚浅，因此对 DRAM 的速度要求不如 PC、手机和服务器，更侧重于 DRAM 工作状态的稳定性，因此当前车规级 DRAM 主要使用成熟制程进行生产。由于 利基型市场下游应用领域广泛、因此行业需求的周期性波动相对较小，呈现出稳定增长 的局面。

从供给端来看，随着三星将利基型 DRAM 产线向 CMOS 产品的生产转移，DRAM 主流 厂商的利基型产品供给将有所收缩；利基型 DRAM 的 IDM 厂商主要是中国台湾的南亚 科技和华邦电子，而产能规划上华邦电在 2023 年之后才陆续有新产能的开出；因此， 利基型 DRAM 的产能增长相对更为缓慢。在有效新开产能不多的背景下，随着利基型 DRAM 需求的稳定增长，我们持续看好利基型 DRAM 市场的发展。

9 DRAM 投资分为主流和利基型产品市场两条主线

通过对前文进行分析，我们认为 DRAM 行业的投资逻辑可以分为主流和利基型 DRAM 两条主线进行：

主流产品方面：因其技术壁垒较高、且价格波动和市场体量大，拥有自主产能的厂 商在进行产品生产时，能够更快速的实现新品的研发推出、更灵活的依据下游需求 的变化调整不同规格产品之间的产能；因此，在对该市场进行投资时，优选资金雄 厚、拥有核心专利和优秀研发团队的 IDM 公司。

利基型产品市场方面：相较于主流产品市场，利基型 DRAM 市场下游需求的周期 性波动较小，板块内相关公司的营收体量较小；但从产品迭代的推进，随着主流市 场向 DDR5 的推进，DDR4 4Gb 等小容量规格正逐渐转至利基市场；因此，对利 基 DRAM 行业进行投资时，产品制程规格更为先进、产能有所保障、营收增速有 望持续增长的公司更具投资价值。

10 中国大陆 DRAM 公司分析

当前，半导体产业链仍旧处于全球一体化的产业发展阶段；其中得益于其庞大且优秀的 人才储备和创新生态系统，美国在技术密集型领域如设计、EDA/IP 和先进的制造设备 等领域遥遥领先；半导体第一、二次的产业转移和各个国家地区的产业扶持政策，则助 推了日本、韩国和中国台湾地区在材料、制造等领域的强势发展；而对于起步较晚的中 国大陆目前仅在封测领域具有一定意义上的比较优势；就存储器市场而言，我国国产存 储产品严重依赖于进口。

作为关系国民经济和保障国家安全的基础性、先导性、战略性产业，国产化是半导体行 业的长期发展路径。在半导体国产替代的背景下，我国存储产业发展得到了国家、政府 的大力扶持，采用 IDM 模式生产主流 DRAM 产品的长鑫存储正是在国家产业基金的支 持下投资成立的。当前，我国大陆 DRAM 优质标的包括兆易创新、北京君正等公司。

兆易创新：利基型 DRAM 营收有望迎来快速增长

兆易创新于 2019 年 4 月 26 日以可转股债权方式对长鑫存储投资 3 亿元，以期在业务 方面与合肥长鑫发挥优势互补，并探讨 DRAM 产品销售、代工、以及工程端的多种合 作模式；并于 2019 年 9 月，非公开发行股票募集资金用于 DRAM 芯片自主研发及产业 化项目；项目开发目标为研发 1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM 技术， 设计和开发 DDR3、、DDR4、 系列 DRAM 芯片。公司现已成功推出 DDR4 产品，主要面向机顶盒、电视、监控、网络通信、平板电脑、智慧家庭、车载影 音系统等诸多利基型市场。

公司计划在 2022 年持续推出自研 DRAM 新产品，在公司传统主营业务所积累的渠道优 势下，持续开拓利基型 DRAM 市场。从公司与长鑫存储的关联交易情况来看，公司自 研 DRAM 产品营收将实现快速增长。

北京君正：车规级存储芯片优质标的

ISSI 是优质的车规级存储龙头。ISSI 的主营业务为存储芯片（DRAM、SRAM 和 Flash） 和模拟芯片，其中 DRAM 的营收占比超 5 成；在 DRAM 产品方面，北京矽成主要针对 具有较高技术壁垒的专业级应用领域，类型涵盖 16M、32M、64M、128M 到 1G、2G、 4G、8G、16G 等多种容量规格，能够满足工业、消费、通讯等级和车规等级产品的要 求，具备在极端环境下稳定工作以及节能降耗等特点。产能方面，ISSI 为中国台湾代工 厂力晶科技（现更名为力积电）提供了融资租赁，从而持续保证 DRAM 产能的需求。

北京君正于 2020 年完成对 ISSI 的并购，成功将其主营业务拓宽了微处理器芯片和智能 视频芯片、存储芯片、模拟与互联芯片三大业务板块。作为全球车规级存储龙头企业之 一，公司有望持续受益于车规存储市场的快速崛起。

长鑫存储引导 DRAM 国产化发展

长鑫存储（IDM 模式）成立于 2016 年 5 月，公司自成立以来就致力于 DRAM 的研发与 量产，并已成功推出面向主流市场的 DDR4、 和 DDR4 模组；

长鑫存储在产能、知识产权和客户导入等方面进程持续推进：

积极扩张产能。项目总投资额超 2200 亿元，预计全部达产将实现 30 万片/月的 12 存 DRAM 存储晶圆产能；

完善专利布局。2019 年 12 月 5 日，长鑫存储与 Wi-LAN 全资子公司 达成专利许可协议和专利采购协议，获得大量 DRAM 技术专 利的实施许可。2020 年 4 月，与美国半导体公司 签署专利许可协议，获 得大量 DRAM 技术专利的实施许可；

迅速导入客户。内存模组厂商光威已上架采用长鑫 DDR4 内存芯片的羿 PRO 系 列内存，江波龙旗下嵌入式存储品牌 也已推出核心 DRAM 为长鑫存储 颗粒国产化内存。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。未来智库 - 官方网站

上海集成电路产业公共服务平台建设分析

杨荣斌

（上海科技情报研究所，上海 ）

摘要：2016 年上海集成电路产业公共服务平台建设呈现出新的发展态势。在上海集成电路研发中心、上海硅知识产权交易中心、上海集成电路技术与产业促进中心、上海集成电路测试专业技术服务平台的基础上，上海市规划和筹建了微技术工业研究院等新的公共服务平台。这些公共服务平台的建设，有力地促进了上海集成电路产业的发展。

关键词：集成电路产业；公共服务；平台建设

中图分类号：TN40；F426.63 文章编号：1674-2583(2018)01-0066-03

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.01.017

中文引用格式：杨荣斌.上海集成电路产业公共服务平台建设分析[J]. 集成电路应用, 2018, 35(1): 66-68.

1 上海集成电路研发中心

上海集成电路研发中心是由国家发改委等六部委核准的国家级集成电路研发中心，是以发展与国内集成电路产业相适应的应用技术为主线，面向全国集成电路企业、大学及研究所开放的非营利性公共研发机构。

研发中心的主要业务功能包括：（1）先进工艺技术开发和应用，为集成电路制造企业提供先进工艺研发和验证的公共平台，为高校和科研院所提供先进的新技术研究基地；（2）为国内企业提供技术来源及知识产权保护的共同支撑；（3）为国内设计企业产品开发提供特色工艺模块和 IP 核；（4）为国内设备和材料企业提供先进工艺设备和新材料的展示、评价、中试及配套工艺技术开发；（5）为集成电路企业、高校和科研院所提供人才培养和实习的实训基地。上海集成电路研发中心不仅是“长三角集成电路设计与制造协同创新中心”的主要成员，同时也是“国家发改委集成电路设计服务平台”、“上海市集成电路高技能人才培养基地”、“上海市技术创新服务平台”和“上海集成电路制造设备和工艺材料工程化应用工程技术研究中心”等公共服务平台[1]。

目前，上海集成电路研发中心逐步接近世界先进半导体技术水平，已掌握了自主知识产权的 28 nm 关键工艺，正在建设 14/10 nm 先导线。一年来为我国 5 家芯片制造和设计企业、15 家设备和材料企业提供了先进技术转移和设备材料评价服务。2016 年对于上海集成电路研发中心是一个重要的发展关键节点。这一年，上海集成电路研发中心被列入上海科技创新中心建设的重点。在 2016 年 4 月国务院发布的《上海系统推进全面创新改革试验加快建设具有全球影响力的科技创新中心方案》中，特别提出“提升上海集成电路研发中心能级，打造我国技术最先进、辐射能力最强的世界级集成电路共性技术平台，为自主芯片制造提供技术支撑，为国产设备及材料提供验证环境”。

2016 年 11 月，在国家实施“909”工程和华虹集团成立 20 周年之际，上海集成电路研发中心和华虹集团组织华虹宏力 8 英寸制造平台、华力微电子 12 英寸制造平台共同举办华虹“创芯”20 周年技术研讨会，并举办了“909”工程二次升级——华力微电子二期 12 英寸高工艺等级新生产线项目建设启动活动。该项目已被列入国家《“十三五”集成电路产业重大生产力布局规划》，也是“十三五”期间上海市重大产业项目和 2016 年度上海市重大工程。

2 上海硅知识产权交易中心

上海硅知识产权交易中心有限公司（）是工信部、上海市政府为促进我国集成电路设计业成长、提升电子信息产业知识产权水平、培育物联网等新兴产业发展而建立的行业性公共服务机构之一。每年服务国内外客户近百家，其中外省市客户约占 40%。中心已有软件著作权 8 个、布图登记 9 个、商标权 1 个[2]。该中心拥有良好的IC 设计开发软硬件设施、集成电路专利数据库、专利信息分析及管理系统。可以提供 IP/SoC 设计服务、测试验证、IP 核交易交换、知识产权检索分析、专利侵权比对分析、知识产权无形资产评估、知识产权交易、专利数据库及专利管理软件定制、专利代理、知识产权司法鉴定等服务。同时，中心开展了物联网公共服务，组织策划了若干环境监测物联网工程项目。

2016 年 11 月 9 日，上海硅知识产权交易中心（）联合中国半导体行业协会举办了第十四届“中国国际半导体博览会暨高峰论坛”中的知识产权论坛。研讨会以“半导体专利诉讼与专利运营”为主题，通过对当前半导体领域的国际专利诉讼和热点技术专利布局现状及趋势的分析、行业专利侵权举证实例分享、专利国内国外市场的对接趋势研究、高质量专利布局对专利运营和运用的作用探讨，来促进行业知识产权风险防范和专利运用运营的能力。同时组织行业知识产权专家就行业的知识产权热点、难点问题进行互动交流。

同时，该中心积极开展国际合作。上海硅知识产权交易中心与位于美国硅谷的 VB 公司签署知识产权运营协议，正式启动大中华区面向健康大数据应用的姿态识别算法知识产权运营。VB 公司是国际上顶级的姿态识别算法公司，其 MRE 算法能够在亚秒级（sub-，优于国际同类产品一个数量级）感知人体与物体的精准姿态，包括行走、跑动、跳跃、跌倒、转身、游泳等姿态，能够广泛应用于手机、手环、手表、服饰、首饰、箱包、车辆等智能终端，从而帮助客户开发消费级和医疗级的 APP，以及进行健康大数据运营服务。

该中心也积极发挥作为公共平台的功能。2016 年中心承办了多场培训活动。如 2016 年 7 月 30 日中心承办了上海市集成电路高技能人才培养基地专业培训课程中的集成电路设计培训，培训共 180 学时，采用理论教学+项目实训方式，针对半导体工艺的不断发展和设计复杂度不断提升的集成电路版图设计技能要求，开发了针对性的理论及实训教材。

3 上海集成电路技术与产业促进中心

上海集成电路技术与产业促进中心（简称“促进中心”）成立于 2000 年 2 月，主要发挥集成电路设计技术服务、信息技术领域项目管理、集成电路产业化促进三大功能。中心建立了上海市集成电路设计专业技术和上海射频识别专业技术两大服务平台，形成了包括多项目晶圆（MPW）服务、集成电路验证测试支持、EDA 设计工具支持、SoC 硬件加速验证服务、RFID 测试服务、项目管理、人才培训、行业技术信息研究与分析等在内的集成电路专业技术服务体系[3]。

2016 年，为了加快实施集成电路产业人才培养的“互联网+”行动计划，上海集成电路技术与产业促进中心创办国内首家集成电路培训中心在线培训与学习服务平台——摩尔学堂（），努力打造国内首家泛 IC 领域 MOOC 分享平台。“摩尔学堂”是一个鼓励资源共享的服务平台，在“摩尔学堂”里不仅可以学习到国内外高级专业的课程（包括录制课程和直播课程），而且还可以听到专业领域大伽的讲座，在进行个人发展方面学习的同时还可以与学员互动交流，通过参与小组活动，分享学习心得及技术体验等。

2016 年 4 月，中国质量认证中心和上海集成电路技术与产业促进中心实验室联合宣布，共有 5 家单位的 8 款超高频射频识别标签获得了 CQC 标志认证。上海集成电路技术与产业促进中心实验室接受中国质量认证中心委托，对是否适用 840～960 MHz 的 RFID 标签开展产品检验。

2016 年 4 月，上海集成电路技术与产业促进中心宣布将使用 FIME 公司的射频测试平台和 测试工具支持本地移动支付厂商开展 EMV 和可信执行环境（TEE）产品评估。FIME 公司的射频测试平台为智能卡、移动设备和终端的认证提供完全符合 EMV 非接触式规范的测试计划。 测试工具为全球芯片组、移动设备、操作系统和片上系统（SoC）产品提供广泛的认证测试。该工具可以用于测试任何实施TEE、NFC 和电信规范的设备，如智能电话、平板电脑、机顶盒和可穿戴设备等。中心拥有中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可的检测实验室，提供集成电路、射频识别、近场通信、非接触式 EMV 和一系列其他检测服务。

4 上海集成电路测试专业技术服务平台

上海市集成电路测试专业技术服务平台[4]，依托国内第一家专业测试企业，上海华岭集成电路技术股份有限公司专业从事集成电路测试设计、验证分析、程序开发、测试线路设计和量产测试服务。平台得到了国家和上海市的立项支持。平台拥有包括上海市领军人才、优秀学科带头人、科技部专家、工信部专家、总装备部专家在内的 180 多人的优秀人才团队。平台拥有超过 30 年的专业经验。团队成员曾获得国家科技进步二等奖和省部级奖励 10 多次，提供从新产品测试开发、测试分析验证到产业化测试的整体解决方案，具备自主技术创新研发和持续发展能力，研发了多项尖端测试技术，如射频测试、高速接口测试、ADC/DAC 测试、CPU 测试、DSP 测试、FPGA 测试、高速高精度线路设计等测试技术。研发技术广泛应用在信息安全、移动通信、卫星导航、3D IC、MEMS、金融IC 卡、CIS、物联网等与国家安全、国民经济密切相关的多个领域。

上海华岭集成电路技术股份有限公司 2016 年年报披露，2016 年公司围绕12英寸晶圆测试平台的产业升级，顺利实现了5 级系统两大平台有机交互运行，初步建立起大数据、云计算架构（信息化、智能化、云端化）的“芯片测试云”服务模式。连续两年累计投入约 8 000 万元资金后，华岭测试产能得到了大幅提升，活跃客户的数量比 2015 年同期增加 35% 以上。公司重点聚焦千万门级 FPGA、CIS 高清图像传感器、14 nm 、WAT 测试分析、28 nm 射频 CMOS 特色工艺等诸多技术先进领域进行研发。科研项目数量和科研用机时数较 2015 年同期均有大幅增长。全年申请发明专利 20 项，专利数量较 2015 年增长约 3 成。2016 年公司承接和完成包括国家重大科技专项在内的数项政府科研任务，其中“极大规模集成电路生产测试技术开发及产业化应用”项目获评上海市科技进步二等奖。2016 年公司仍然保持快速平稳增长的良好态势，实现主营业务收入 1.22 亿元，继 2015 年首次突破亿元大关后又创新高，同比增长 12.71%，税后净利达 5 925.53 万元，同比增长 65.02%，实现了近年来最大的效益增长幅度。

5 上海规划新的公共服务平台，创建上海微技术工业研究院

2016 年 4 月国务院发布的《上海系统推进全面创新改革试验加快建设具有全球影响力的科技创新中心方案》明确提出要“提升上海集成电路研发中心能级，打造我国技术最先进、辐射能力最强的世界级集成电路共性技术平台”。同时提出要“建设上海微技术工业研究院，形成全球化的微机电系统（MEMS）及先进传感器技术创新网络，发展特色工艺，突破传感器中枢、融合算法、微能源等共性技术，并在物联网领域探索应用模式创新；建设微电子示范学院和微纳电子混合集成技术研发中心，研究硅集成电路技术与非硅材料的融合，开发新型微纳电子材料和器件共性技术”。上海微技术工业研究院已于 2015 年年底启动建设，目前团队已达112 人，形成了较为集聚的先进研发力量。同时，上海正在积极筹建示范性微电子学院，目前已得到复旦微电子学院、交大微电子学院的支持。

6 结语

2016 年上海集成电路产业公共服务平台建设呈现出新的发展态势。在上海集成电路研发中心、上海硅知识产权交易中心、上海集成电路技术与产业促进中心、上海集成电路测试专业技术服务平台的基础上，上海市规划和筹建了微技术工业研究院等新的公共服务平台。这些公共服务平台的建设，有力地促进了上海集成电路产业的发展。

参考文献

[1] 上海集成电路研发中心[EB/OL].

[2] 上海硅知识产权交易中心 [EB/OL].

[3] 上海集成电路技术与产业促进中心[EB/OL].

[4] 杨荣斌.建设上海集成电路产业公共服务平台[J].集成电路应用，2017，34（2）.

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